9月18日，上海微电子传出好消息，宣布推出SSB520型新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。看到这个消息，老冀很多产业界的朋友都很高兴——有了光刻机，国内芯片制造是不是就能够迈向更先进的制程工艺了？

再仔细一看新闻稿，不禁又泄了气：这款光刻机“可满足0.8μm分辨率光刻工艺需求，极限分辨率可达0.6μm。”这是什么概念？0.6μm等于600纳米，这与目前台积电已经量产的5纳米工艺相差太远了。

不过，新闻稿里还说，“通过升级运动、量测和控制系统，套刻精度提升至≤100nm（纳米），并能保持长期稳定性。”这就跟此前上海微电子已经发布的90纳米工艺的光刻机差不多了。上海微电子还表示，这款新品将主要应用于高密度异构集成领域，也就是芯片制造的后道工序，仍然无法弥补目前芯片国产化中最薄弱的前道工序。

当然，这也就引出了一个问题：由于美国ZF对咱们的技术封锁，加上美国ZF不断利用自己的长臂管辖“威胁”其他国家的供应商，看来打造一条全部国产的芯片生产线，已经很有必要了。那么，如果集全国之力，打造出这么一条芯片生产线，它的工艺水平能有多高？老冀试着给大家捋一捋。

像台积电、中芯国际这些主要做芯片制造前道工序的专业芯片代工厂，将原始的硅片加工成密布集成电路的晶圆，整个制造环节主要可以分为：清洗、扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试九大环节，并用到清洗机、扩散机、薄膜沉积设备、光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、离子注入机、CMP、检测设备这九大关键设备。

在这九大关键设备当中，目前国产工艺水平最高的是刻蚀机。在这里，我们有必要表扬一下中微半导体，已经实现了5纳米的量产，并成为了台积电的供应商。可以说，在这个领域，国产设备已经达到全球最先进的水平了。